电离杂质散射：Pi~Ni*T^(-3/2)
电离杂质越多，载流子遭受到散射的机会越多
温度越高，载流子的平均速度越大，可以较快地掠过杂质离子，所以不易被散射
晶格振动散射（声学波散射）：Ps~T^(3/2)
温度越高，晶格振动越厉害，越容易遭受散射
在常见材料中，主要的散射机制是电离杂质散射和声学波散射:
P=Ps+Pi=A*T^(3/2)+B*Ni*T(-3/2)
高纯样品或杂质浓度较低的样品中，晶格振动散射起主要作用，电离杂质散射可以忽略
温度升高，迁移率减小
随着杂质浓度的增大，电离杂质散射影响增大，但仍以晶格振动散射为主
温度升高，迁移率减小，但是减小的幅度不大
杂质浓度很高时
低温范围内，以电离杂质散射为主
温度升高，迁移率增大
高温范围内，以晶格振动散射为主
温度升高，迁移率减小
温度一定时，晶格振动散射的影响不变，随着杂质的增多，散射越强，因此迁移率越小
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