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姓名： arthux 职业： 待业 年龄： 25 位置： 南京
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焊PCB
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把文件藏在图片里
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yanke20011
能把boot block的升级方法..
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我也用easyarm，正在找这方..
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Flash
<DIV><FONT size=3> NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。</FONT></DIV> <DIV> </DIV> <DIV><FONT size=3> NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 <BR> NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。</FONT> </DIV> <DIV></DIV> <DIV></DIV> <DIV></DIV> <DIV></DIV>
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发表于:2008-01-15 ┆
阅读(151)
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焊PCB
<DIV>最近第一次焊PCB板，而且没有人指导，方法完全是在网上找的。总结一下：</DIV> <DIV> </DIV> <DIV>1.准备</DIV> <DIV>30W电烙铁，0.8mm焊锡丝（越细越好），松香，镊子。我没有吸锡工具，一是要焊的零件不多，二是出的错误不严重，所以就不用了。</DIV> <DIV> </DIV> <DIV>2.焊接过程</DIV> <DIV>先焊小的和贴片的元件，再焊大的元件。可以的话焊一点，检查一点，不要急。有时候焊错了也不要急着拆，先看看原理图，可能电路本身就连在一起，这就没关系。有时候不拆，也能通过别的方法解决。如我最后焊排阻时，误将排针焊进去，焊的脚很多，取不下来。最后我直接就把排阻焊在板子背面排针的脚上，同样也可以用。</DIV> <DIV> </DIV> <DIV>3.调试与重新焊接</DIV> <DIV>调试时问题往往很多。我开始是MAX232芯片引脚没焊好，串口收发不正常。然后又是PDIUSBD12芯片没焊好，电脑老是提示USB设备不正常。最后还有排阻没焊好，甚至让我以为单片机或D12芯片有问题。</DIV> <DIV></DIV>
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发表于:2008-01-03 ┆
阅读(142)
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把文件藏在图片里
<DIV><SPAN class=tpc_content>该技巧适合 Windows 2000 / XP / Vista</SPAN></DIV> <DIV><SPAN class=tpc_content><BR>0.准备1.jpg和要隐藏的文件*<BR>1.打开命令行提示符<BR>2.把要隐藏的文件*用WinRAR压缩,生成2.RAR压缩包<BR>3.在命令行下输入copy /b 1.jpg + 2.rar 3.jpg<BR>4.打开生成的图片3.jpg，没错吧，的的确确是原来的图片<BR>5.用RAR打开3.jpg就可以看到隐藏在里面的文件*</SPAN></DIV>
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发表于:2007-12-30 ┆
阅读(157)
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PS常用技巧
<DIV><FONT size=3></FONT></DIV> <DIV><FONT size=3><STRONG>1.基本效果</STRONG></FONT></DIV> <DIV><FONT size=3>渐变工具：减少背景单调。</FONT></DIV> <DIV><FONT size=3>图层蒙版：对图层的操作将作用在蒙版上，而不是该图层上。使用和禁用蒙版，可以直观看出图层的变化。</FONT></DIV> <DIV><FONT size=3></FONT> </DIV> <DIV><FONT size=3><STRONG>2.文字效果</STRONG></FONT></DIV> <DIV><FONT size=3> 首先点文字工具写出所需文字，调整字体、大小、颜色。再点移动工具，取消文字编辑状态，并移动文字至合适位置。在图层标签小窗口内，点击添加图层样式（f形状），根据菜单可以选择多种效果。</FONT></DIV> <DIV><FONT size=3> 混合选项中的不透明度和填充不透明度用来减淡或去掉颜色。</FONT></DIV> <DIV><FONT size=3> 发光字：选择外发光</FONT></DIV> <DIV><FONT size=3> 凸出和凹陷：选择斜面和浮雕</FONT></DIV> <DIV><FONT size=3></FONT> </DIV> <DIV><FONT size=3><STRONG>3.图画效果</STRONG></FONT></DIV> <DIV><FONT size=3>3-1改变图片大小</FONT></DIV> <DIV><FONT size=3> 编辑－－自由变换</FONT></DIV> <……
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发表于:2007-12-19 ┆
阅读(133)
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Word
<DIV><FONT size=3><STRONG>更新域操作</STRONG> <BR>当WORD文档中的域没有显示出最新信息时，用户应采取以下措施进行更新，以获得新域结果。 <BR>1、更新单个域：首先单击需要更新的域或域结果，然后按下F9键。 <BR>2、更新一篇文档中所有域：执行“编辑”菜单中的“全选”命令，选定整篇文档，然后按下F9键。 <BR>另外，用户也可以执行“工具”菜单中的“选项”命令，并单击“打印”选项卡，然后选中“更新域”复选框，以实现WORD在每次打印前都自动更新文档中所有域的目的。</FONT></DIV> <DIV></DIV>
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发表于:2007-12-15 ┆
阅读(150)
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二极管三极管
<DIV><FONT size=4>基本概念见模拟电子技术基础（第二版）童诗白主编，网上有下载。</FONT></DIV> <DIV> </DIV> <DIV>N型半导体：因在硅（或锗）中加入五价元素，而产生多余的价电子，电子带负电，Negative，故名。</DIV> <DIV>P型半导体：反之。</DIV> <DIV><FONT size=4>Iceo：穿透电流，基极开路时(Ib=0)的集电极电流。</FONT></DIV> <DIV><FONT size=4>β：共发射极电流放大系数(Common Emitter Current Gain)</FONT></DIV> <DIV><FONT size=4></FONT></DIV> <DIV><FONT size=4>饱和区：</FONT></DIV> <DIV><FONT size=4> 发射结和集电结均加正偏，Vce很小。由于集电极电流不能无限增大，当<FONT face="Times New Roman">Ib*</FONT>β〉<FONT face="Times New Roman">Ic时，一般就可判断三极管进入饱和区。这时，Vce很小，可以将其理解为一个闭合开关。</FONT></FONT></DIV> <DIV><FONT face="Times New Roman" size=4>截止区：</FONT></DIV> <DIV><FONT size=4><FONT face="Times New Roman"> </FONT><FONT face="Courier New">发射结和集电结均加反偏。工程上规定Ib=0以下的区域为截止区。</FONT></FONT></DIV> <DIV><FONT size=4></FONT> <……
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发表于:2007-12-11 ┆
阅读(193)
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振荡电路及晶振
<DIV align=center><FONT size=3></FONT> </DIV> <DIV><FONT size=3> 振荡器（Oscillator）是一种能量转换装置，它不需要外加信号的控制，就能自动地将直流能量转换为一定频率、一定幅度和一定波形的交流能量输出。振荡器电路应包括放大电路、反馈网络和选频电路三部分。放大电路和反馈网络用于产生和维持振荡信号，选频电路用于指定振荡信号的频率范围。</FONT></DIV> <DIV><FONT size=3></FONT> </DIV> <DIV><FONT size=3> <STRONG>原理：</STRONG>在自激振荡器中，起始瞬间的振荡电压产生原因两种：一是接通电源时电路各处的瞬变电压；二是放大器中的电扰动和噪声电压。这些起始电压中包含各种丰富的频率分量，总会有符合相位条件的某个频率成分。当振幅增大到某种程度后，由于三极管特性的非线性，其工作范围将超出放大区，进入饱和区或截止区，放大器的放大倍数将显著下降，使输出信号振幅增大变缓，另一方面，能量的损耗也会使输出信号振幅增大变缓。</FONT></DIV> <DIV><FONT size=3> 对称式多谐振荡器是一个正反馈振荡电路。G1,G2是两个反相器，C1,C2是两个耦合电容，RF1,RF2是两个反馈电阻。只要恰当地选取反馈电……
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发表于:2007-12-10 ┆
阅读(1228)
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ESD
<P>ESD的意思是“静电释放”的意思，它是英文：Electro-Static discharge 的缩写<BR><BR>ESD知识介绍 <BR>静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。 <BR>人体自身的动作或与其他物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电。 <BR>静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体经典是电子工业中的两大危害。 <BR>生产过程中静电防护的主要措施为静电泄露、耗散、中和、增湿，屏蔽与接地。 <BR>人体静电防护系统主要有防静电手腕带，脚腕带，工作服、鞋袜、帽、手套或指套等组成，具有静电泄露，中和与屏蔽等功能。 <BR>静电防护工作是一项长期的系统工程，任何环节的失误或疏漏，都将导致静电防护工作的失败。</P> <P>随着多媒体应用在每个人的日常生活中扮演的角色日益增长，计算机与消费电子之间的关系也日益密切，对便携性和功能性方面的增长会有持续性的需求。这就要求元件有更高的集成度——总的趋势却是导致敏感而昂贵的芯片,由于存在外部接口的ESD 浪涌而遭到损坏的风险也在增长。<BR>为了抵消这种风险，Philips 提供了一系列宽范围的完整分立产品，致力于保护、消……
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发表于:2007-12-06 ┆
阅读(184)
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PROTEL中的封装
<DIV> 1英寸＝2.54cm<BR>1.电阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封装属性为AXIAL系列 电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0 (0.762cm-2.54cm)<BR> 可变电阻(POT1、POT2) VR1-VR5 <BR> 贴片电阻封装尺寸与具体阻值没有关系,但封装尺寸与功率有关通常来说如下,电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: <BR> 0201 1/20W <BR> 0402 1/16W 0402=1.0mmx0.5mm <BR> 0603 1/10W 0603=1.6mmx0.8mm <BR> 0805 1/8W 0805=2.0mmx1.2mm <BR> 1206 1/4W 1206=3.2mmx1.6mm <BR> 1210=3.2mmx2.5mm <BR> &nbs……
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发表于:2007-11-17 ┆
阅读(377)
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万用表使用方法
<DIV>（一）三极管管脚极性</DIV> <DIV>用R×1k档进行：</DIV> <DIV>1.先判定基极b。由于b到c，b到e分别是两个PN结，它的反向电阻很大，而正向电阻很小。测试时可任意取晶体管一脚假定为基极。将红笔接“基极”，黑笔分别接触另两个脚，如此时测得都是低阻值，则红笔所接触的管脚即为基极b，并且是P型管（如用上法测得均为高阻值，则为N型管）。如测量时两个管脚的阻值差异很大，可另选一个管脚假定为基极，直至满足上述条件为止。</DIV> <DIV>2.再判定集电极c。对于PNP型三极管，当集电极接负电压，发射极接正电压时，电流放大倍数才比较大，而NPN型管相反。测试时假定红笔接集电极c，黑笔接发射极e，记下其阻值；而后红黑笔交换测试，将测得的阻值与第一次阻值相比，阻值小的红笔接的是集电极c，黑的是发射极e，且可判定是P型管（N型管则相反）。</DIV> <DIV> </DIV> <DIV>指针万用表在欧姆电路中，红笔为电池负极，黑笔为正极。</DIV> <DIV> </DIV> <DIV>注意：以上介绍的方法，一般都只能用R×100,R×1k档，如果R×10k档，则因表内有9V的较高电压，可能将三极管的PN结击穿，若用R×1档测量，因电流过大（约90mA），也可能损坏管子。</DIV> <DIV></DIV> ……
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发表于:2007-11-14 ┆
阅读(284)
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芯片的封装
PDIP(Plastic Dual Lnline Pockage):塑料双列直插封装,lntel 8位和16位处理芯片采用的封装方式，引脚从两端引出。 <BR><BR>PQFP（Plastic Quad Flat Pockage)塑料四边引出扁平封装，引脚从四边引出。lntel的80386采用。 <BR><BR>CPGA（Ceramic Pin Grid Arrau Package)、PPGA(Plastic Pin Grid Aoray Package):陶瓷/塑料针脚网格陈列封装，Socket 5、Socket 7、Socket 370、Socket A 处理器的封装方式，其引脚从底端引出，并形成规则的阵列。 <BR><BR>SECC（Single Edge Contact Cartidge)、SEPP(Single Edge Processor Package):单边接触盒/处理器封装。这是使用Slot 1、Slot A接口的处理器使用的封装方式。 <BR><BR>BGA（Ball Grid Array Package):球状网格阵列封装，这也是目前常用的一种封装方式。笔记本电脑的处理器使用了BGA封装。 <BR><BR>CSP（Chip Scale Package):芯片级封装，芯片面积与封装面积之比要尽可能接近1：1。
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发表于:2007-11-12 ┆
阅读(205)
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bootloader小结
<DIV>最近自己做了一个基于EasyARM2200开发板的bootloader，作用是可以将别的程序通过串口烧入片外SST39VF160 FlashROM并启动该程序。主要分以下几部分：</DIV> <DIV>一.串口编程</DIV> <DIV> 将ADS生成的Plain binary文件（不是Intel 32 bit Hex）发送至开发板的UART0串口，然后写入片外RAM。我没有编写上位机程序，直接用网上的串口收发软件。这种软件虽然能发送二进制文件，但它是一次性发送，无法效验，如果文件太大可能会出问题。理想的方法是分块发送，并在每个块发送结束后，对每个块进行校验，以确保数据的正确，这点工业应用领域很重要。LPC2000系列的ARM芯片的UART0为16字节FIFO，可设置中断的触发深度。有一点要注意，RBR中断包含了两个中断源，一是接收数据可用(RDA)中断，即正确接收到数据；二是接收超时中断(CTI)。当接收的数据量不满足触发深度，且在接收3.5到4.5字符时间内没有发生UART0 RX FIFO动作时，产生CTI中断。</DIV> <DIV>二.Flash编程</DIV> <DIV> 将已写至片外RAM的代码烧入SST39VF160,并校验。</DIV> <DIV>1.编程时要注意变量的位数，如果在0x5555地址写入16位的0xAA，则变量为16位，且低8位为0xAA即可。</DIV> <DIV>2.SST39VF1……
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发表于:2007-11-10 ┆
阅读(224)
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遇到的与ARM相关的问题
<DIV>1.error 0xaa553101或0xFFFFFFFF 可能是EasyJTAG仿真器的Flash 0 Address设置不对。</DIV> <DIV>2.Flash编程、UART编程很可能出错的地方是变量长度定义不对，uint8定义成uint16,uint16定义成32。</DIV> <DIV>3.Flash字编程只能从1变到0,不能从0变到1。只有擦除操作才能变为1。</DIV>
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发表于:2007-11-08 ┆
阅读(192)
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UART0
<DIV>1.寄存器U0RBR与U0THR是同一地址，但物理上是分开的，读操作时为U0RBR，写操作时为U0THR。</DIV> <DIV>2.RBR中断包含了两个中断源：一是接收数据可用（RDA）中断，即正确接收到数据；二是接收超时中断（CTI）。要注意，当接收数据不足时，往往会超时引发第二个中断。</DIV> <DIV>3.如果RBR中无有效数据，则再次读取的数据同上一次读取的数据。</DIV>
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发表于:2007-11-07 ┆
阅读(183)
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semihosting
<DIV> 最近想编写一个自动烧写到片外Flash的Bootloader(我用的是周立功的EasyARM2200开发板)，在看ADS的开发文档时，经常出现semihosting这个术语，大概查找了一下，是有关调试的一种方法。我对调试方法还是很感兴趣的，因为笔记本没有并口，用不了EasyJTAG仿真器，一直都是用串口直接烧到片内Flash中跑程序的。</DIV> <DIV> </DIV> <DIV> 介绍一下semihosting的功能：</DIV> <DIV> Semihosting is a mechanism for ARM targets to communicate input/output requests<BR>from application code to a host computer running a debugger. This mechanism could be<BR>used, for example, to allow functions in the C library, such as printf() and scanf(), to use the screen and keyboard of the host rather than having a screen and keyboard on the target system.<BR> This is useful because development hardware often does not have all the input and<BR>output facilities of the final system. Semihosting allows the host computer to provide these facilities.<BR> Semihosting is implemented by a set of defined……
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发表于:2007-11-01 ┆
阅读(380)
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评论(1)
ARM汇编中表达式及运算符
<DIV>1.字符串表达式一般由字符串常量、字符串变量、运算符和括号构成。</DIV> <DIV>2.编译器所支持的字符串最大长度为512字节。</DIV> <DIV> <DIV v:shape="_x0000_s1026"> <DIV>3.优先级相同的双目运算符的运算顺序为从左到右。相邻的单目运算符的运算顺序为从右到左，且单目运算符的优先级高于其他运算符。括号运算符的优先级最高。</DIV> <DIV> </DIV> <DIV></DIV> <DIV></DIV></DIV></DIV> <DIV>以下介绍运算符： </DIV> <DIV> <DIV v:shape="_x0000_s1026">X:MOD:Y 表示X除以Y的余数。</DIV></DIV> <DIV> <DIV v:shape="_x0000_s1026"> <DIV>X:AND:Y 表示将X和Y按位作逻辑与的操作,OR按位作逻辑或,EOR按位作逻辑异或</DIV> <DIV>:NOT:Y 表示将Y按位作逻辑非的操作</DIV> <DIV> <DIV><NOBR>:LNOT:Y 表示将Y作逻辑非的操作</NOBR></DIV></DIV> <DIV> <DIV v:shape="_x0000_s1026"> <DIV><NOBR>X:LAND:Y 表示将X和Y作逻辑与的操作,LOR作逻辑或,LEOR作逻辑异或</NOBR></DIV> <DIV><NOBR></NOBR> </DIV></DIV></DIV></DIV></DIV> <DIV>:LEN:X 返回字符串……
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发表于:2007-10-27 ┆
阅读(276)
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LPC2000系列ARM芯片启动过程
<DIV>LPC2000处理器启动过程是：Memory Map--Remap--Boot--Remap四步。</DIV> <DIV>以LPC2292为例：</DIV> <DIV>片内Flash的最高8kB在芯片出厂前写入了Bootload程序和64字节的中断向量表，这是启动过程中重要的内容。</DIV> <DIV> </DIV> <DIV>1.Memory Map（不受控制）</DIV> <DIV>LPC2292上电复位后，Flash和SRAM映射：SRAM占据0x40000000~0x40003FFF;Flash占据0x0~0x0003FFFF。此过程不受开发人员控制。</DIV> <DIV> </DIV> <DIV>2.Remap（不受控制）</DIV> <DIV>Boot Block被整体Remap到了0x7fffe000~0x7fffffff。同时，0x0~0x3f的64字节中断向量区被暂时注销映射关系，由Boot Block中的中断向量代替。此过程不受开发人员控制。</DIV> <DIV>此时地址空间分配：</DIV> <DIV> 除去Remap暂时注销映射关系的64字节，Flash整体占用0x40~0x3ffff。</DIV> <DIV> Boot Block占用0x7fffe000~0x7fffffff，Boot Block中断向量表占用0x0~0x3f。</DIV> <DIV> 事实上，Boot Block中断向量表占用了三段地址编码空间：0x0~0x3f,0x3e000~0x3e03f,0x7fffe000~0x7fffe03f。</DIV> <DIV> </DIV> <DIV>3.Boot（不受控制）</DIV> <DIV>复位后Boot运作就是从0x0……
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发表于:2007-10-25 ┆
阅读(641)
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评论(2)
BNF和EBNF
<DIV><STRONG>BNF:</STRONG>巴科斯范式。常用于计算机指令语法的表达。</DIV> <DIV>在双引号中的字("word")代表着这些字符本身。而double_quote用来代表双引号。 <BR>在双引号外的字（有可能有下划线）代表着语法部分。 <BR>< > 内包含的为必选项。 <BR>[ ] 内包含的为可选项。 <BR>{ } 内包含的为可重复0至无数次的项。 <BR>| 表示在其左右两边任选一项，相当于"OR"的意思。 <BR>::= 是“被定义为”的意思 <BR><B>3)扩展的巴科斯范式(Augmented BNF):</B>RFC2234 定义了扩展的巴科斯范式(ABNF)。近年来在Internet的定义中ABNF被广泛使用。ABNF做了更多的改进，比如说，在ABNF中，尖括号不再需要。 <BR><B>4)EBNF的基本内容：</B> <BR>"..." : 术语符号 <BR>[...] : 选项:最多出现一次 <BR>{...} : 重复项: 任意次数，包括 0 次 <BR>(...) : 分组 <BR>| : 并列选项，只能选一个 <BR>斜体字: 参数，在其它地方有解释 <P><B>例子</B>BNF应用较多，以下给出一个简单例子，这是用BNF来定义的Java语言中的For语句的实例： <BR>FOR_STATEMENT ::= <BR>"for" "(" ( variable_declaration | <BR>( expression ";" ) | ";" ) <BR>[ expres……
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发表于:2007-10-22 ┆
阅读(393)
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volatile关键字
<DIV> <P> volatile关键字是一种类型修饰符，用它声明的类型变量表示可以被某些编译器未知的因素更改，比如：操作系统、硬件或者其它线程等。volatile关键字常用于地址变量或多线程中变量的声明，表示该变量易变，每次使用该变量都从存储器中读取，从而保证数值的准确。遇到这个关键字声明的变量，编译器对访问该变量的代码就不再进行优化，从而可以提供对特殊地址的稳定访问。 <HR id=null> 使用该关键字的例子如下：<BR>int volatile nVint;<BR> 当要求使用volatile声明的变量的值的时候，系统总是重新从它所在的内存读取数据，即使它前面的指令刚刚从该处读取过数据。而且读取的数据立刻被保存。</P> <P>例如：<BR>volatile int i=10;<BR>int a = i;<BR>...<BR>//其他代码，并未明确告诉编译器，对i进行过操作</P> <P>int b = i;<BR> volatile指出i是随时可能发生变化的，每次使用它的时候必须从i的地址中读取，因而编译器生成的汇编代码会重新从i的地址读取数据放在b中。而优化做法是，由于编译器发现两次从i读数据的代码之间的代码没有对i进行过操作，它会自动把上次读的数据放在b中。而不是重新从i里面读。这样以来，如果i是一个寄存器变量或者表示一个端口……
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发表于:2007-10-22 ┆
阅读(196)
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ADS和GNU操作符变化
<DIV> <TABLE style="WIDTH: 490px; HEIGHT: 507px" cellSpacing=1 cellPadding=1 width=490 border=1> <TBODY> <TR> <TD> ADS</TD> <TD> GNU</TD></TR> <TR> <TD> INCLUDE</TD> <TD> .include</TD></TR> <TR> <TD> TCLK2 EQU PB25</TD> <TD> .equ TCLK2,PB25</TD></TR> <TR> <TD> EXPORT</TD> <TD> .global</TD></TR> <TR> <TD> IMPORT</TD> <TD> .extern</TD></TR> <TR> <TD> DCD</TD> <TD> .long</TD></TR> <TR> <TD> IF:DEF:</TD> <TD> .ifdef</TD></TR> <TR> <TD> ELSE</TD> <TD> .else</TD></TR> <TR> <TD> ENDIF</TD> <TD> .endif</TD></TR> <TR> <TD> :OR:</TD> <TD> |</TD></TR> <TR> <TD> :SHL</TD> <TD> <<</TD></TR> <TR> <TD> RN</TD> <TD> .req</TD></TR> <TR> <TD> GBLA</TD> <TD> .global 或.globl</TD></TR> <TR> <TD> BUSWIDTH SETA 16</TD> <TD> .equ BUSWIDTH,16</TD></TR> <TR> <TD> MACRO</TD> <TD> .macro</TD></TR> <TR> <TD>&nbs……
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发表于:2007-10-20 ┆
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