关于场效应管：

  场效应管是电压控制器件，与晶体管工作机理不同，但两者之间存在电极对应关系。

  由于场效应管删源之间处于绝缘或者反向偏置，所以输入电阻很高（可达上百兆欧）。

  又由于场效应管是多数载流子控件，因此热稳定性很好，抗辐射能力强，噪声系数少，制造简单，已广泛应用。

  通常场效应管的偏置电路有两种：自偏压电路和分压式自偏压电路,自偏压电路适用于结型或MOS型：

                                Ugsq = - Idq*Rs

  分压式自偏压电路既适用于增强型场效应管也能适用于耗尽型场效应管，删极电压：

                                UgQ = Rg2/(Rg1+RG2)*VDD

                                UgSQ = -(IdqR-Rg2/(Rg1+RG2)*VDD
 
   静态工作点确定：  特性方程

                                IdQ = IDSS*(1-UGSQ/UGS)2

  由共源放大电路的微变等效点可知：

                                 Au=Uo/Ui= -gm*(Rd||Rl)

                                  Ri  =  (Rg1||Rg2)+Rg3


                                  Ro  =  Rg

  共源放大电路的输入电阻比共射电路的大的多（RGS通常很大），故需要高输入电阻时多宜采用场效应管放大电路。