博客首页
注册
建议与交流
排行榜
加入友情链接
推荐
投诉
搜索:
帮助
轮子的轨迹
── 技术版
lunziyu.cublog.cn
管理博客
发表文章
留言
收藏夹
· 嵌入式、Linux相关
· 移动通信技术相关
博客圈
音乐
相册
· 初春访樱
· 圆明园-2007-06-24
导入文章
文章
· 嵌入式开发
· Linux内核和编程
· 移动通信技术
· C/C++语言
· 算法分析与设计
· UBUNTU使用笔记
· 摄影小集
· 生活杂记
首页
关于作者
姓名:轮子 职业:硕士在读 年龄:26 位置:中科院计算技术研究所 个性介绍:对嵌入式软件、操作系统内核、驱动和移动通信技术感兴趣。 Email:lunziyu@gmail.com
||
<<
>>
||
我的分类
文章列表 - 嵌入式开发
有感于内核开发
  最近一直跟随导师开发一个用于WSN(Wireless Sensor Network)的内核,感概颇多。<div><span class="Apple-style-span" style="font-size: 12px;">  首先对我导师表示最最最严重的佩服!每天从早到晚“沉溺”于代码之中,不时就会完成一些让人看了佩服的五体投地的精美代码来,这样的导师,在当今怏怏大国,估计已经凤毛麟角了...现在的所谓导师大都忙于拉项目喝酒吃饭赚钱了;每当我有什么实在解不出的难题,导师往往是看一眼或者听我两句描述就能立刻想到我的问题出在什么地方,而且切中要害,解释简洁而又……
查看全文
发表于:2008-09-19 ┆
阅读(51)
┆
评论(0)
音频设备的三种硬件接口
<link style="color: rgb(0, 1, 2);" rel="File-List" href="file:///C:%5CDOCUME%7E1%5Cslyu%5CLOCALS%7E1%5CTemp%5Cmsohtml1%5C01%5Cclip_filelist.xml"><font style="color: rgb(0, 1, 2);" size="3"><o:smarttagtype namespaceuri="urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" name="chmetcnv"></o:smarttagtype><o:smarttagtype namespaceuri="urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" name="chsdate"></o:smarttagtype><st1:chsdate style="font-weight: bold;" year="1899" month="12" day="30" islunardate="Fal……
查看全文
发表于:2008-03-15 ┆
阅读(449)
┆
评论(0)
s3c2410 NandFlash K9F1208U0A/ K9F1208U0B的读取操作
<br> <div id="message10" class="t_msgfont">作者:蔡于清<br> <a href="http://www.another-prj.com/" target="_blank">www.another-prj.com</a><br> <br> 我的板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B,下面我将对……
查看全文
发表于:2007-04-17 ┆
阅读(729)
┆
评论(0)
【转】NAND Flash的坏块
<p align="right">Written By mYthorON</p> <p><strong>1.为什么会出现坏块</strong><br> 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是:当编程/擦除这个块时,不能将某些位拉高,这 会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位。<br> <br> <strong>2.坏块的分类</strong><br> 总体上,坏块可以分为两大类<br> (1) 固有坏块<br> 这是生产过程中产生的坏块,一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个byte标记为不等于0xff的值。<br> (2) 使用坏块<br> 这是在NAND Flash使用过程中,如果Block Erase或者Page Program错误,就可以简单地将这个块作为坏块来处理,这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致,将新发现的坏块的第一个page的 spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。<br> <br> <strong>3.坏块管理</strong><br> 根据上面的这些叙述,可……
查看全文
发表于:2007-04-16 ┆
阅读(804)
┆
评论(0)
ECC程序中nand_ecc_precalc_table表的生成原理
<table align="center" border="0" bordercolor="#ffffff" width="800"><tbody><tr><td align="center" height="19" valign="top"><span class="style1">ECC程序中nand_ecc_precalc_table表的生成原理</span><!-- InstanceEndEditable --></td> </tr> <tr> <td align="center" height="16" valign="top"> </td> </tr> <tr> <td><!-- InstanceBeginEditable name="EditRegionContent" --> <p align="center">作者:龙林 EMAIL:dragon_hn@sohu.com WEB:www.dragon-2008.com</p> <p> 在上文的《NAND FLASH ECC校验原理与实现》中贴出了ECC算法源程序,在ECC算法源程序中有个nand_ecc_precalc_table,用于快速生成ECC校验和, 该表实际上是按照《NAND FLASH ECC校验原理与实现》表中的ECC原理生成的,理解了ECC校验和生成原理,实际上生成该表也就不存在任何困难了。下面是生成该表的源程序:</p> <p> #define BIT0(x) ((x)&0x01)<br> #define BIT1(x) (((x)&0x02)>……
查看全文
发表于:2007-04-16 ┆
阅读(712)
┆
评论(0)
【转】NAND FLASH ECC校验原理与实现
<table align="center" border="0" bordercolor="#ffffff" width="800"><tbody><tr><td align="center" height="19" valign="top"><span class="style1">NAND FLASH ECC校验原理与实现</span><!-- InstanceEndEditable --></td> </tr> <tr> <td align="center" height="16" valign="top"> </td> </tr> <tr> <td><!-- InstanceBeginEditable name="EditRegionContent" --> <p align="center">作者:龙林 EMAIL:dragon_hn@sohu.com WEB:www.dragon-2008.com</p> <p><strong>ECC简介</strong><br> 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。<br> 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错。<br> ……
查看全文
发表于:2007-04-16 ┆
阅读(698)
┆
评论(0)
[转]NAND和NOR FLASH技术设计师在使用闪存时需要慎重选择
<table align="center" border="0" bordercolor="#ffffff" width="800"><tbody><tr> </tr> <tr> </tr> <tr> </tr> <tr> <td><!-- InstanceBeginEditable name="EditRegionContent" --><p align="center">M-Systems公司 Arie TAL</p> <p><br> NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。<br> 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况 下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 <br> NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这……
查看全文
发表于:2007-04-16 ┆
阅读(449)
┆
评论(0)
Google──>手机?
<span style="color: rgb(102, 1, 2); font-weight: bold;"> 说法一: Google:“的确在开发手机” </span><br> 先前关于google开发自家手机”Switch“的说法早就传开了,今天终于看到了来自google方面的正式消息:<a href="http://news.ccidnet.com/art/1032/20070317/1038645_1.html" target="_blank">“的确在开发手机”</a>。<br> 从Google的招聘网页上可以看到,Google美国开始招聘手机开发人员了,Google中国也有手机应用开发人员的招聘。<br> 传言说Google手机使用的是C++内核,我认为这很难说,我觉得Google很可能会在Linux内核基础上做一些修改来开发自己的系统,而从Google美国的招聘上也能说明这一点。<br> 不管怎么说,Google开发手机,是好事,因为Google的很多理念很可能给这个行业带来翻天覆地的变化,目前手机方面迫切需要革命性的东西了。<br> 而我呢,只期待一点,以后能去Google做手机开发,呵呵:)<br><br>---------------------------------------------------------------------------<br><span style="font-weight: bold; color: rgb(102, 1, 2);"> ……
查看全文
发表于:2007-03-17 ┆
阅读(521)
┆
评论(1)